本发明涉及量子点发光技术领域，尤其涉及一种量子点配体及其制备方法、以及量子点膜及其制备方法。
背景技术：
随着高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向，oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示的发光层结构通过掩膜蒸发的方法制备存在着对位困难、良品率低的问题，同时，通过打印的方法代替掩膜蒸发的方法也面临着技术难度高、产品良率低、产品价格高的严重问题。
技术实现要素：
本发明的主要目的在于，提供一种量子点配体及其制备方法、以及量子点膜及其制备方法。用于解决相关技术中量子点配体与量子点以配位键的形式结合，作用力较弱，容易解吸附的问题。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种量子点配体，包括分子骨架以及接枝在分子骨架上的一类配位基团和至少一种二类配位基团。
可选的，对于相同的中心原子，所述二类配位基团与中心原子的配位能力强于所述一类配位基团与中心原子的配位能力，且所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基。
可选的，所述配位基团保护基用于在光照和/或加热的条件下从所述二类配位基团脱离；或者，所述配位基团保护基以光解性化学键或热解性化学键键合在所述二类配位基团上；其中，所述光解性化学键为在光照下可发生断裂的化学键；所述热解性化学键为在加热下可发生断裂的化学键。
可选的，所述分子骨架为直链状分子骨架或树枝状分子骨架；和/或，所述分子骨架为含有酯键、醚键、酮键中的任意一种或几种的分子骨架；和/或，所述分子骨架为可传输载流子的分子骨架。
可选的，所述一类配位基团和至少一种二类配位基团均键合在所述分子骨架的末端。
可选的，所述量子点配体还包括接枝在所述分子骨架上的键合基团，所述一类配位基团和所述至少一种二类配位基团均键合在所述键合基团的末端。
可选的，所述键合基团为直链键合基团或枝化键合基团。
可选的，每种二类配位基团包括至少一个二类配位基团；和/或，所述一类配体基团和/或二类配位基团包括氨基、羧基或巯基。
另一方面，本发明实施例提供一种量子点配体的制备方法，包括：将含有一类配位基团的一类配体结构和含有二类配位基团的二类配体结构进行反应，获得所述量子点配体；所述量子点配体包括接枝有所述一类配位基团和至少一种所述二类配位基团的分子骨架。
可选的，在所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基的情况下；所述将含有一类配位基团的一类配体结构和含有二类配位基团的二类配体结构进行反应，获得所述量子点配体前，所述量子点配体的制备方法还包括：利用配位基团保护基对所述二类配体结构中所包含的二类配位基团进行保护。
另一方面，本发明实施例提供一种量子点膜，包括量子点和如上所述的量子点配体，所述量子点配体所包括的一类配位基团和至少一种二类配位基团均与至少一个量子点配位。
再一方面，本发明实施例提供一种量子点膜的制备方法，包括：将量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液；所述预制配位溶液中含有量子点配体与量子点形成的配合物；所述量子点配体为如上所述的量子点配体；利用所述预制配位溶液制膜，获得量子点膜。
可选的，将所述量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液包括：将量子点直接与量子点配体进行配位；获得所述预制配位溶液；或者，将量子点与第一配体进行配位，得到第一配体配位的量子点；将第一配体配位的量子点与所述量子点配体进行配体交换反应，获得所述预制配位溶液。
可选的，在所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基的情况下；在所述利用所述预制配位溶液制膜之后，所述制备方法还包括：将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除。
可选的，将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除，包括：采用非接触方式将配位基团保护基从所述二类配位基团上脱离，并采用溶剂溶解以及擦拭或涂抹相结合的方式将从所述二类配位基团脱离的配位基团保护基或其分解后的分子片段去除。
本发明实施例提供一种量子点配体及其制备方法、以及量子点膜及其制备方法。由于一个量子点配体具有多个配位基团，因此，与相关技术中一个量子点配体含有一个配位基团，仅提供一个配位位点与量子点进行配位，量子点配体与量子点以配位键的形式结合，作用力较弱，容易解吸附相比，一个量子点配体可以有多个配位位点与量子点进行配位，形成螯合物结构，从而能够增强量子点配体与量子点之间的结合能力，防止解吸附，从而能够避免量子点表面大量缺陷暴露，增强对量子点表面的缺陷的钝化作用，提升量子点的发光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种qled(quantumdotlightemittingdiodes，量子点发光二极管)显示面板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种基于图1中的a-a’方向的剖视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种量子点配体的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种量子点配体和量子点发生配位的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种量子点配体和量子点发生配位的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种量子点配体和量子点发生配位的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种量子点配体和量子点发生配位的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种量子点配体的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种量子点配体和量子点发生配位的反应方程式；
图10为本发明实施例提供的基于图9将二类配位基团上的配位基团保护基脱除，形成多配位基团与其周围量子点发生配位的反应方程式；
图11为本发明实施例提供的一种量子点配体的分子骨架为直链状分子骨架的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种量子点配体的分子骨架为树枝状分子骨架的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的另一种量子点配体的分子骨架为树枝状分子骨架的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的一种量子点配体还包括一直链键合基团的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的一种量子点配体还包括一枝化键合基团的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的另一种量子点配体还包括一枝化键合基团的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的一种制备量子点配体的反应方程式；
图18为本发明实施例提供的一种采用包含有至少一种二类配位基团，且每个二类配位基团均处于被保护状态的一种分子结构，直接与另一种分子结构反应制备二类配体结构的反应方程式；
图19为本发明实施例提供的一种量子点膜的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明的实施例提供一种qled(quantumdotlightemittingdiodes，量子点发光二极管)显示面板，如图1所示，该qled显示面板1可以划分出显示区域(activearea，aa)a和位于显示区域a周边的周边区s；周边区s用于布线，也可以设置驱动电路(例如栅极驱动电路)。显示区域a设置有多个亚像素p。
这里如图1所示，以多个该亚像素p呈矩阵形式排列为例进行说明。在此情况下，沿水平方向x排列成一排的亚像素p称为同一行亚像素，沿竖直方向y排列成一排的亚像素p称为同一列亚像素。同一行亚像素p可以与一根栅线连接，同一列亚像素p可以与一根数据线连接。
如图2所示，该qled显示面板1包括衬底11、设置于衬底11上且位于亚像素的区域的像素驱动电路、以及发光器件13。其中，像素驱动电路包括多个晶体管，其中一个晶体管为驱动晶体管12，该驱动晶体管12的漏极126与发光器件13的第一电极131电连接。
如图2所示，该驱动晶体管12还可以包括依次层叠设置于衬底11上的半导体层121、栅绝缘层122、栅极123、层间绝缘层124和源极125，其中源极125与漏极126同层设置。
如图2所示，该qled显示面板1还包括像素界定层14，像素界定层14包括多个开口区，一个发光器件13设置在一个开口区中。
如图2所示，该发光器件13除包括以上第一电极131以外，还可以包括发光功能层132和第二电极133。在一些实施例中，该发光功能层132包括发光层。在另一些实施例中，发光功能层132除包括发光层外，还包括电子传输层(electiontransportinglayer，简称etl)、电子注入层(electioninjectionlayer，简称eil)、空穴传输层(holetransportinglayer，简称htl)以及空穴注入层(holeinjectionlayer，简称hil)中的一层或多层。
其中，该发光器件13可以为顶发光型发光器件、底发光型发光器件或者双面发光型发光器件，不论该发光器件13为顶发光型发光器件、底发光型发光器件还是双面发光型发光器件，该第一电极131可以为阳极，此时，该第二电极133为阴极。或者，该第一电极131可以为阴极，此时，该第二电极133为阳极。
在此，以该发光器件13为顶发光型发光器件为例，该第一电极131可以为阳极，此时，该第一电极131呈不透明，例如可以为ito(indiumtinoxides，氧化铟锡)/ag/ito的层叠结构；第二电极133为阴极，呈透明或半透明，例如该阴极可以为厚度较薄的金属银。
另外，该qled显示面板例如还可以包括设置在薄膜晶体管12和第一电极131之间的钝化层15和平坦层16。
在上述基础上，该qled显示面板还包括用于封装发光器件13的封装层17，该封装层17可以为封装薄膜，也可以为封装基板。
基于以上结构，本发明的一实施例中，以上发光层可以包括量子点膜。该量子点膜包括量子点和量子点配体，其中，如图3所示，该量子点配体包括分子骨架，以及枝接于该分子骨架上的一类配位基团a和至少一种二类配位基团b。
其中，一类配位基团a和二类配位基团b仅是为了说明一个量子点配体中可以含有多个不同类型的配位基团，并不对该一类配位基团a和二类配位基团b的配位活性造成限定，对于同一个中心原子，一类配位基团a与中心原子的配位活性可以大于、等于或小于二类配位基团b与中心原子的配位活性。
该一类配位基团a可以包括氨基、羧基或巯基等任意含有孤对电子的基团。该二类配位基团b也可以包括氨基、羧基或巯基等任意含有孤对电子的基团。只要该一类配位基团a和二类配位基团b为不同类型的配位基团即可。
这里的“不同类型”并不是指一类配位基团a是氨基的情况下，二类配位基团b即为非氨基，而是人为进行的划分，一类配位基团a和二类配位基团b只要满足以下条件中的任意一种，即可认为一类配位基团a和二类配位基团b为不同类型。第一种条件：一类配位基团a和二类配位基团b中进行配位的含有孤对电子的原子种类不同，如一类配位基团a为氨基，二类配位基团b为羧基或巯基。第二种条件，对于同一个中心原子，一类配位基团a与中心原子的配位能力和二类配位基团b与中心原子的配位能力不同，如一类配位基团a可以为氨基，二类配位基团b为亚胺基。
其中，由于该二类配位基团b为至少一种，因此，在该二类配位基团b为多个时，多个该二类配位基团b可以为相同的配位基团(即该二类配位基团b为一种的情况)，也可以为不同的配位基团(即该二类配位基团b为多种的情况)。
基于此，本发明的一可选实施例中，每种该二类配位基团b包括至少一个二类配位基团b。即在该二类配位基团b为一种的情况下，该二类配位基团b可以为一个或多个。在该二类配位基团b为两种或两种以上的情况下，该二类配位基团b为多个。
如图4、图5、图6和图7所示，该量子点配体所包括的一类配位基团a和至少一种二类配位基团b均与至少一个量子点配位。
其中，如图4所示，示出了该量子点配体所包含的一类配位基团a和至少一种二类配位基团b均与同一个量子点配位的情形，如图5所示，示出了该量子点配体所包含的二类配位基团b为一个，且一类配位基团a和二类配位基团b分别与一个量子点配位的情形。如图6所示，示出了该量子点配体所包含的二类配位基团b为多个，且多个该二类配位基团b与同一个量子点配位的情形，如图7所示，示出了该量子点配体所包含的二类配位基团b为多个，多个该二类配位基团b分别与一个量子点配位的情形。
基于此，在本发明实施例提供的量子点膜中，由于一个量子点配体具有多个配位基团，因此，与相关技术中一个量子点配体含有一个配位基团，仅提供一个配位位点与量子点进行配位，量子点配体与量子点以配位键的形式结合，作用力较弱，容易解吸附相比，一个量子点配体可以有多个配位位点与量子点进行配位，形成螯合物结构，从而能够增强量子点配体与量子点之间的结合能力，防止解吸附，从而能够避免量子点表面大量缺陷暴露，增强对量子点表面的缺陷的钝化作用，提升量子点的发光性能。
本发明的一实施例中，如图8所示，对于相同的中心原子，该二类配位基团b与中心原子的配位能力强于一类配位基团a与中心原子的配位能力，且该量子点配体还包括用于保护该二类配位基团b的配位基团保护基。
在本发明实施例中，在将该量子点配体和量子点配位时，如图9所示，可以先将一类配位基团a与量子点进行配位，而后，如图10所示，再将配位基团保护基从二类配位基团b上脱离下来，能够提供多个配位基团，与其周围的量子点配位，从而能够形成较为稳定的螯合物结构。同时，由于对于相同的中心原子，该二类配位基团b与中心原子的配位能力强于一类配位基团a与中心原子的配位能力，因此，通过二类配位基团b与量子点进行配位，与通过一类配位基团a与量子点进行配位相比，还能够增强量子点配体和量子点的结合能力，防止发生解吸附。
其中，该配位基团保护基可以为在任意合适的条件下从二类配位基团b上脱离下来，对二类配位基团b失去保护作用的保护基团。
本发明的第一种可能的结构中，该配位基团保护基用于在光照或加热的条件下从二类配位基团b脱离。
即，该配位基团保护基为在光照或加热条件下即可从二类配位基团b上脱离下来，对二类配位基团b失去保护作用的保护基团。
本发明的第二种可能的结构中，该配位基团保护基以光解性化学键或热解性化学键键合在二类配位基团b上，其中，该光解性化学键为在光照下可发生断裂的化学键，该热解性化学键为在加热下可发生断裂的化学键。
即，在这种情况下，通过光照或加热，同样能够使该配位基团保护基从二类配位基团b上脱离下来，对二类配位基团b失去保护作用。
其中，示例性的，该光解性化学键可以包括：偶氮键、过氧键、苯乙酮键、二硫醚键、环硫醚键等。该热解性化学键可以包括：酰胺键、酯键、醚键等。
其中，对该分子骨架的具体结构不做限定，只要该一类配位基团a和至少一种二类配位基团b接枝于该分子骨架上，能够分别与量子点进行配位即可。
本发明的一实施例中，该分子骨架为直链状分子骨架(如图11所示)，或树枝状分子骨架(如图12所示)；和/或，该分子骨架为含有酯键、醚键、酮键中的任意一种或几种的分子骨架；和/或，如图12所示，该分子骨架为可传输载流子的分子骨架。
其中，直链状分子骨架可以为碳链分子骨架。如烷烃分子骨架、烯烃分子骨架或炔烃分子骨架等。如图11所示，示出了该直链状分子骨架为烷烃分子骨架的情形。本领域技术人员能够理解的是，该烷烃分子骨架也可以含有酯键、醚键和/或酮键。
树枝状分子骨架是指具有树枝状结构的有机分子骨架。树枝状分子是由重复增长反应合成得来的，每一个重复循环反应增加一个支化层，叫做"代"。它包括主结构(内核，支化单元，外围基团)及微环境(空腔)。如图12和图13所示，该内核可以为单原子(如氮原子)、树枝状结构(如三苯胺等)、直链状结构(如烷烃、烯烃等)或环形结构(如芳烃、芴、咔唑等)，支化单元可以为直链状键合基团或枝化键合基团。这里，枝化键合基团是相对于直链状键合基团而言的，具有多个分叉(即在主链上连接有支链的结构)。该直链状键合基团或枝化键合基团可以为烷烃类键合基团，也可以为烯烃类键合基团、芳烃类键合基团等。如图11和图12所示，示出了该支化单元为烷烃类键合基团的情形。此时，每个该支化单元的末端可以形成次甲基进行分叉，与外围基团键合。在此情况下，如图11所示，该树枝状分子骨架可以仅具有一个支化层，此时，该树枝状分子骨架称为第一代分子骨架，一类配位基团a可以键合在内核上，该二类配位基团b可以键合在支化层上。本领域技术人员能够理解的是，如图12所示，该第一代分子骨架的末端的官能团还可以继续与带有分支结构的单元反应，则得到第二代分子骨架。依次类推，可以得到更高代数的树枝状分子骨架，而对于第n代分子骨架而言，该一类配位基团a和二类配位基团b可以均键合在任意一个支化层(如图12中的第一支化层或第二支化层)上。如图12所示，本发明实施例仅示出了一类配位基团a键合在内核上，二类配位基团b键合在第二支化层上的情形。
在本发明实施例中，在该分子骨架为树枝状分子骨架时，与直链状分子骨架相比，还能够增强量子点材料在溶剂中的溶解性，解决了多配位量子点膜的成膜工艺问题。在该分子骨架为可传输载流子的分子骨架时，还能够提高量子点的发光性能。
基于以上结构，本发明的一实施例中，如图11、图12和图13所示，该一类配位基团a和至少一种二类配位基团b均键合在分子骨架的末端。
即在该分子骨架为直链状分子骨架时，如图11所示，一类配位基团a可以键合在该直链状分子骨架的一端，二类配位基团b可以键合在该直链状分子骨架的另一端。在该分子骨架为树枝状分子骨架时，如图12和图13所示，一类配位基团a可以键合在该树枝状分子骨架的内核上，二类配位基团b作为外围基团键合在该树枝状分子骨架的支化单元的末端。另一些实施例中，一类配位基团a和二类配位基团b也可以均作为外围基团键合在该树枝状分子骨架的支化单元的末端。
在本发明实施例中，通过将一类配位基团a和二类配位基团b均键合在分子骨架的末端，有利于一类配位基团a和二类配位基团b与量子点发生配位，尤其对于二类配位基团b而言，在其键合有配位基团保护基的情况下，在先将一类配位基团a和量子点发生配位，再通过脱保护基，有利于二类配位基团b与其周围的量子点进行配位。
本发明的又一实施例中，该可传输载流子的分子骨架可以为空穴传输型分子骨架和/或电子传输型分子骨架。
示例性的，该空穴传输型分子骨架可以为三苯胺类的分子骨架，电子传输型分子骨架可以为吡啶类的分子骨架。
在此，可以根据量子点材料的发光类型，选择不同的分子骨架类型。
示例性，当该量子点材料为蓝光量子点材料时，该分子骨架为电子传输型分子骨架，当该量子点材料为红光量子点材料或绿光量子点材料时，该分子骨架为空穴传输型分子骨架。
本发明的又一实施例中，如图14、图15和图16所示，该量子点配体还可以包括接枝在该分子骨架上的键合基团，该一类配位基团a和至少一种二类配位基团b均键合在该键合基团的末端。
即，该分子骨架与一类配位基团a和至少一种二类配位基团b之间还键合有一键合基团，能够增大该量子点配体的分子结构，有利于一个量子点配体与更多的量子点发生配位。
本发明的一可选实施例中，如图14、图15和图16所示，该键合基团可以为直链键合基团或枝化键合基团。其中，枝化键合基团与直链键合基团相比，能够进一步提高量子点材料的溶解性，有利于量子点膜成膜工艺的进行。
其中，该枝化键合基团是相对于直链键合基团而言的，可以具有多个分叉(即在主链上连接有支链的结构)，如树枝状键合基团，树枝状键合基团与以上所述的树枝状分子骨架类似，是指具有树枝状结构的键合基团。树枝状键合基团同样可以由重复增长反应合成得来，每一个重复循环反应增加一个支化层，叫做"代"。它包括主结构(内核，支化单元，外围基团)及微环境(空腔)。如图15和图16所示，该内核可以为单原子(如氮原子)、树枝状结构(如三苯胺等)、链状结构(如烷烃、烯烃等)或环形结构(如芳烃、芴、咔唑等)，支化单元可以为直链状键合基团或枝化键合基团。这里，该枝化键合基团是相对于直链状键合基团而言的，可以具有多个分叉(即在主链上连接有支链的结构)，该直链状键合基团或枝化键合基团可以为烷烃类键合基团，也可以为烯烃类键合基团、芳烃类键合基团等。如图15和图16所示，示出了该支化单元为烷烃类键合基团的情形。此时，每个该支化单元的末端可以形成次甲基进行分叉，与外围基团键合。在此情况下，如图15所示，该树枝状分子骨架可以仅具有一个支化层，此时，该树枝状分子骨架称为第一代分子骨架，一类配位基团a和二类配位基团b可以均键合在支化层上。本领域技术人员能够理解的是，如图16所示，该第一代分子骨架的末端的官能团还可以继续与带有分支结构的单元反应，则得到第二代分子骨架。依次类推，可以得到更高代数的树枝状分子骨架，而对于第n代分子骨架而言，该一类配位基团a和二类配位基团b可以均键合在任意一个支化层(如图16中的第一支化层或第二支化层)上。如图16所示，本发明实施例仅示出了一类配位基团a键合在内核上，二类配位基团b键合在第二支化层上的情形。
本发明的实施例提供一种量子点配体的制备方法，包括：
如图17所示，将含有一类配位基团a的一类配体结构和含有二类配位基团b的二类配体结构进行反应，获得量子点配体；该量子点配体包括接枝有一类配位基团a和至少一种二类配位基团b的分子骨架。
其中，如图17所示，该含有一类配位基团a的一类配体结构上可以含有一第一官能团，该含有二类配位基团b的二类配体结构上可以含有一第二官能团，该一类配体结构和二类配体结构可以通过第一官能团和第二官能团之间发生反应，以获得该量子点配体。
其中，该第一官能团和第二官能团为任意可以在合适的反应条件下发生反应的官能团。如图17所示，该第一官能团可以为卤素(如溴)，第二官能团可以为羧基，该第一官能团和第二官能团能够在催化作用下发生偶联反应。
本发明实施例提供的量子点的制备方法的有益技术效果与本发明实施例提供的量子点膜的有益技术效果相同，在此不再赘述。
本发明的又一实施例中，如图17所示，在量子点配体还包括用于保护二类配位基团b的配位基团保护基的情况下；将含有一类配位基团a的一类配体结构和含有二类配位基团b的二类配体结构进行反应，获得量子点配体前，该量子点配体的制备方法还包括：利用配位基团保护基对该二类配体结构中所包含的二类配位基团b进行保护。
这里，利用配位基团保护基对该二类配体结构中所包含的二类配位基团b进行保护，可以有多种实现方式。
示例性的，可以直接将含有二类配位基团b的二类配体结构和配位基团保护基进行反应，以利用配位基团保护基对该二类配体结构中所包含的二类配位基团b进行保护。也可以如图18所示，采用包含有至少一种二类配位基团b，且每个二类配位基团b处于被配位基团保护基保护状态的一种分子结构，直接与另一种或多种分子结构通过反应进行制备获得。当然，也可以通过商业方法获得。
本发明的实施例提供一种量子点膜的制备方法，如图19所示，包括：
s1、将量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液；该预制配位溶液中含有量子点配体与量子点形成的配合物；所述量子点配体为如上所述的量子点配体。
示例性的，将量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液，可以有多种可能的方式。
第一种可能的方式中，将量子点直接与量子点配体进行配位；获得该预制配位溶液。
第二种可能的方式中，将量子点与第一配体进行配位，得到第一配体配位的量子点；将第一配体配位的量子点与该量子点配体进行配体交换反应，获得该预制配位溶液。
其中，第一配体可以为油酸配体、硬脂酸配体、油胺配体、硬脂胺配体等。
其中，该预制配位溶液中的配合物中的一类配位基团和二类配位基团可以均与量子点配位，或者，该预制配位溶液中的配合物中仅一类配位基团和量子点配位，这时，该二类配位基团处于被配位基团保护基保护的状态。
s2、利用该预制配位溶液制膜，获得量子点膜。
示例性的，可以通过旋涂工艺将该预制配位溶液旋涂成膜。
本发明的一实施例中，在该量子点配体还包括用于保护二类配位基团的配位基团保护基的情况下；在以上预制配位溶液中，该二类配位基团处于被配位基团保护基保护的状态。
此时，在利用该预制配位溶液制膜之后，该制备方法还包括：将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除。
在本发明实施例中，通过在预制配位溶液中，仅将一类配位基团与量子点配位，而使二类配位基团处于被配位基团保护基保护的状态，在成膜之后，再将配位基团保护基脱除，能够使二类配位基团与其周围的量子点进行配位，从而可以形成网状分子结构，便于成膜，还能够解决多配位量子点的成膜问题。
同时，该配位基团保护基可以选择在光照和/或加热条件下从二类配位基团脱离的保护基。避免在配位条件下即脱保护。
本发明的又一实施例中，将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除，包括：采用非接触方式将配位基团保护基从二类配位基团上脱离，并采用溶剂溶解以及擦拭或涂抹相结合的方式，将从二类配位基团脱离的配位基团保护基或其分解后的分子片段去除。
其中，采用溶剂溶解以及擦拭或涂抹相结合的方式，将从该二类配位基团b脱离的配位基团保护基或其分解后的分子片段去除。可以为：以图18中反应方程式为例，在制膜时，通过光照将配位基团保护基从二类配位基团b上脱离，同时，该配位基团保护基被分解为小分子片段，这时，通过在预制膜上滴加甲醇，对脱离下来的配位基团保护基分解后的分子片段进行溶解，然后通过旋涂的方式去除甲醇，以将脱离下来的配位基团保护基分解后的分子片段去除。
本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
技术特征：
1.一种量子点配体，其特征在于，包括分子骨架以及接枝在分子骨架上的一类配位基团和至少一种二类配位基团。
2.根据权利要求1所述的量子点配体，其特征在于，对于相同的中心原子，所述二类配位基团与中心原子的配位能力强于所述一类配位基团与中心原子的配位能力，且所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基。
3.根据权利要求2所述的量子点配体，其特征在于，所述配位基团保护基用于在光照和/或加热的条件下从所述二类配位基团脱离；或者
所述配位基团保护基以光解性化学键或热解性化学键键合在所述二类配位基团上；其中
所述光解性化学键为在光照下可发生断裂的化学键；
所述热解性化学键为在加热下可发生断裂的化学键。
4.根据权利要求1所述的量子点配体，其特征在于，所述分子骨架为直链状分子骨架或树枝状分子骨架；和/或
所述分子骨架为含有酯键、醚键、酮键中的任意一种或几种的分子骨架；和/或
所述分子骨架为可传输载流子的分子骨架。
5.根据权利要求4所述的量子点配体，其特征在于，
所述一类配位基团和至少一种二类配位基团均键合在所述分子骨架的末端。
6.根据权利要求4所述的量子点配体，其特征在于，
所述量子点配体还包括接枝在所述分子骨架上的键合基团，所述一类配位基团和所述至少一种二类配位基团均键合在所述键合基团的末端。
7.根据权利要求6所述的量子点配体，其特征在于，所述键合基团为直链键合基团或枝化键合基团。
8.根据权利要求1-7任一项所述的量子点配体，其特征在于，
每种二类配位基团包括至少一个二类配位基团；和/或，
所述一类配体基团和/或二类配位基团包括氨基、羧基或巯基。
9.一种量子点配体的制备方法，其特征在于，包括：
将含有一类配位基团的一类配体结构和含有二类配位基团的二类配体结构进行反应，获得所述量子点配体；所述量子点配体包括接枝有所述一类配位基团和至少一种所述二类配位基团的分子骨架。
10.根据权利要求9所述的量子点配体的制备方法，其特征在于，
在所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基的情况下；
所述将含有一类配位基团的一类配体结构和含有二类配位基团的二类配体结构进行反应，获得所述量子点配体前，所述量子点配体的制备方法还包括：
利用配位基团保护基对所述二类配体结构中所包含的二类配位基团进行保护。
11.一种量子点膜，其特征在于，包括量子点和权利要求1-8任一项所述的量子点配体，所述量子点配体所包括的一类配位基团和至少一种二类配位基团均与至少一个量子点配位。
12.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括：
将量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液；所述预制配位溶液中含有量子点配体与量子点形成的配合物；
所述量子点配体为如权利要求1-8所述的量子点配体；
利用所述预制配位溶液制膜，获得量子点膜。
13.根据权利要求12所述的量子点膜的制备方法，其特征在于，
将所述量子点配体与量子点进行配位，获得预制配位溶液包括：
将量子点直接与量子点配体进行配位；获得所述预制配位溶液；或者
将量子点与第一配体进行配位，得到第一配体配位的量子点；
将第一配体配位的量子点与所述量子点配体进行配体交换反应，获得所述预制配位溶液。
14.根据权利要求12或13所述的量子点膜的制备方法，其特征在于，
在所述量子点配体还包括用于保护所述二类配位基团的配位基团保护基的情况下；
在所述预制配位溶液中，所述二类配位基团处于被配位基团保护基保护的状态；
在所述利用所述预制配位溶液制膜之后，所述制备方法还包括：
将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除。
15.根据权利要求14所述的量子点膜的制备方法，其特征在于，
将所制成的膜中含有的配合物中的配位基团保护基脱除，包括：
采用非接触方式将配位基团保护基从所述二类配位基团上脱离，并采用溶剂溶解以及擦拭或涂抹相结合的方式将从所述二类配位基团脱离的配位基团保护基或其分解后的分子片段去除。
技术总结
本发明涉及量子点发光技术领域，尤其涉及一种量子点配体及其制备方法、以及量子点膜及其制备方法。用于解决相关技术中量子点配体与量子点以配位键的形式结合，作用力较弱，容易解吸附的问题。本发明实施例提供一种量子点配体，包括分子骨架以及接枝在分子骨架上的一类配位基团和至少一种二类配位基团。本发明实施例用于制备配位稳定性高的量子点膜。
技术研发人员：梅文海
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：.09.27
技术公布日：.12.31
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