本发明涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
背景技术：
：：数码相机、行动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。在长时间执行数据读取或写入时，存储器存储装置的温度可能会逐渐上升。为了避免高温影响到存储器存储装置的性能且避免装置损坏，存储器存储装置可能会内建有温度控制机制。一般常见的温度控制机制会设置有多个温度范围。每一个温度范围会对应一个固定的降温机制。当存储器存储装置的温度升高到某一个温度范围时，对应于此温度范围的降温机制会被启动，以尝试降低存储器存储装置的温度。当存储器存储装置的温度进一步升高到另一个温度范围时，下一个降温机制会被启动。藉此，存储器存储装置的温度可逐渐下降。然而，随着存储器存储装置和/或控制芯片的类型逐渐增加，不同类型的存储器存储装置和/或控制芯片的温度容忍度可能不同。对于温度容忍度较高的存储器存储装置和/或控制芯片来说，装置可承受的温度较高。而对于温度容忍度较低的存储器存储装置和/或控制芯片来说，装置可承受的温度较低。对于温度容忍度不同的存储器存储装置来说，若使用传统的分温层来提供固定的降温机制，无法对每一装置提供最佳的温度控制参数。技术实现要素：本发明的一范例实施例提供一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可根据检测到的温度值与单一门槛值的比对结果来决定是否持续提高降温操作的降温等级，从而改善存储器存储装置的温度控制机制。本发明的一范例实施例提供一种温度控制方法，其用于存储器控制电路单元，所述存储器控制电路单元用以控制可复写式非易失性存储器模块，所述温度控制方法包括：经由温度传感器感测温度并获得温度值；若所述温度值达到第一门槛值，基于第一降温等级执行降温操作，并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级；以及在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。在本发明的一范例实施例中，所述的温度控制方法还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，所述的温度控制方法还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，所述的温度控制方法还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。在本发明的一范例实施例中，所述的温度控制方法还包括：在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，所述的温度控制方法还包括：在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，基于初始降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。在本发明的一范例实施例中，所述降温操作包括：根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。在本发明的一范例实施例中，根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的步骤包括：若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；动态更新所述数据门槛值；以及若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。本发明的另一范例实施例提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块、温度传感器及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元、所述可复写式非易失性存储器模块及所述温度传感器。所述存储器控制电路单元用以经由所述温度传感器感测温度并获得温度值。若所述温度值达到第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级。在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元用以根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元更用以持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元更用以持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值在本发明的一范例实施例中，在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，所述存储器控制电路单元更用以基于初始降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。在本发明的一范例实施例中，在所述降温操作中，所述存储器控制电路单元更用以根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。在本发明的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；动态更新所述数据门槛值；以及若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。本发明的另一范例实施例提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块，所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口、温度传感器及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口、所述存储器接口及所述温度传感器。所述存储器管理电路用以经由所述温度传感器感测温度并获得温度值。若所述温度值达到第一门槛值，所述存储器管理电路更用以基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级。在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，所述存储器管理电路更用以根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，所述存储器管理电路用以根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器管理电路更用以持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，所述存储器管理电路更用以根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。在本发明的一范例实施例中，在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器管理电路更用以持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值在本发明的一范例实施例中，在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，所述存储器管理电路更用以基于初始降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。在本发明的一范例实施例中，在所述降温操作中，所述存储器管理电路更用以根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。在本发明的一范例实施例中，所述存储器管理电路根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；动态更新所述数据门槛值；以及若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。基于上述，根据温度传感器的感测结果，相应的温度值可被获得。若温度值达到第一门槛值，对应于第一等级参数的降温操作可基于第一降温等级而执行。尔后，若温度值未在第一时间范围内降低至小于此第一门槛值，则根据第一等级参数，对应于第二等级参数的降温操作可基于第二降温等级而执行，从而根据温度值与单一门槛值的比对结果而逐渐提升存储器存储装置的降温能力。相对于传统上划分温度区间来调整相应的降温机制，本发明对于温度的控制更有弹性。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图2是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图。图3是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图。图4是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器存储装置的概要方块图。图5是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图。图6是根据本发明的一范例实施例所示出的管理可复写式非易失性存储器模块的示意图。图7是根据本发明的一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。图8是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。图9是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。图10是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。图11是根据本发明的一范例实施例所示出的温度控制方法的流程图。附图标号说明10、30：存储器存储装置11、31：主机系统110：系统总线111：处理器112：随机存取存储器113：只读存储器114：数据传输接口12：输入/输出(I/O)装置20：主机板201：U盘202：存储卡203：固态硬盘204：无线存储器存储装置205：全球定位系统模块206：网络接口卡207：无线传输装置208：键盘209：屏幕210：喇叭32：SD卡33：CF卡34：嵌入式存储装置341：嵌入式多媒体卡342：嵌入式多芯片封装存储装置402：连接接口单元404：存储器控制电路单元406：可复写式非易失性存储器模块502：存储器管理电路504：主机接口506：存储器接口508：错误检查与校正电路510：缓冲存储器512：电源管理电路601：存储区602：替换区610(0)～610(B)：实体单元612(0)～612(C)：逻辑单元701～703、801、901～903、1001～1004：降温操作Th1、Th2、Th3：门槛值T1～T7：时间点ΔT：时间范围S1101：步骤(经由温度传感器感测温度并获得温度值)S1102：步骤(判断降温操作是否已执行)S1103：步骤(判断温度值是否等于或大于第三门槛值)S1104：步骤(执行降温操作)S1105：步骤(判断温度值是否等于或大于第一门槛值)S1106：步骤(提高降温操作的降温等级)S1107：步骤(判断温度值是否等于或小于第二门槛值)S1108：步骤(降低降温操作的降温等级)具体实施方式一般而言，存储器存储装置(也称，存储器存储系统)包括可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)与控制器(也称，控制电路)。通常存储器存储装置是与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器存储装置或从存储器存储装置中读取数据。图1是根据本发明的一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图2是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图。请参照图1与图2，主机系统11一般包括处理器111、随机存取存储器(randomaccessmemory,RAM)112、只读存储器(readonlymemory,ROM)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114皆连接至系统总线(systembus)110。在本范例实施例中，主机系统11是通过数据传输接口114与存储器存储装置10连接。例如，主机系统11可经由数据传输接口114将数据存储至存储器存储装置10或从存储器存储装置10中读取数据。此外，主机系统11是通过系统总线110与I/O装置12连接。例如，主机系统11可经由系统总线110将输出信号传送至I/O装置12或从I/O装置12接收输入信号。在本范例实施例中，处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114可设置在主机系统11的主机板20上。数据传输接口114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口114，主机板20可以经由有线或无线方式连接至存储器存储装置10。存储器存储装置10可例如是U盘201、存储卡202、固态硬盘(SolidStateDrive,SSD)203或无线存储器存储装置204。无线存储器存储装置204可例如是近距离无线通讯(NearFieldCommunication,NFC)存储器存储装置、无线传真(WiFi)存储器存储装置、蓝牙(Bluetooth)存储器存储装置或低功耗蓝牙存储器存储装置(例如，iBeacon)等以各式无线通讯技术为基础的存储器存储装置。此外，主机板20也可以通过系统总线110连接至全球定位系统(GlobalPositioningSystem,GPS)模块205、网络接口卡206、无线传输装置207、键盘208、屏幕209、喇叭210等各式I/O装置。例如，在一范例实施例中，主机板20可通过无线传输装置207存取无线存储器存储装置204。在一范例实施例中，所提及的主机系统为可实质地与存储器存储装置配合以存储数据的任意系统。虽然在上述范例实施例中，主机系统是以电脑系统来作说明，然而，图3是根据本发明的另一范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图。请参照图3，在另一范例实施例中，主机系统31也可以是数码相机、摄影机、通讯装置、音频播放器、视频播放器或平板电脑等系统，而存储器存储装置30可为其所使用的安全数字(SecureDigital,SD)卡32、小型快闪(CompactFlash,CF)卡33或嵌入式存储装置34等各式非易失性存储器存储装置。嵌入式存储装置34包括嵌入式多媒体卡(embeddedMultiMediaCard,eMMC)341和/或嵌入式多芯片封装(embeddedMultiChipPackage,eMCP)存储装置342等各类型将存储器模块直接连接于主机系统的基板上的嵌入式存储装置。图4是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器存储装置的概要方块图。请参照图4，存储器存储装置10包括连接接口单元402、存储器控制电路单元404与可复写式非易失性存储器模块406。连接接口单元402用以将存储器存储装置10连接至主机系统11。在本范例实施例中，连接接口单元402是相容于串行高级技术附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元402也可以是符合并行高级技术附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)标准、电气和电子工程师协会(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394标准、高速周边零件连接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)标准、通用序列总线(UniversalSerialBus,USB)标准、SD接口标准、超高速一代(UltraHighSpeed-I,UHS-I)接口标准、超高速二代(UltraHighSpeed-II,UHS-II)接口标准、存储棒(MemoryStick,MS)接口标准、MCP接口标准、MMC接口标准、eMMC接口标准、通用快闪存储器(UniversalFlashStorage,UFS)接口标准、eMCP接口标准、CF接口标准、整合式驱动电子接口(IntegratedDeviceElectronics,IDE)标准或其他适合的标准。连接接口单元402可与存储器控制电路单元404封装在一个芯片中，或者连接接口单元402是布设于一包含存储器控制电路单元404的芯片外。存储器控制电路单元404用以执行以硬体型式或固体型式实作的多个逻辑门或控制指令并且根据主机系统11的指令在可复写式非易失性存储器模块406中进行数据的写入、读取与抹除等运作。可复写式非易失性存储器模块406是连接至存储器控制电路单元404并且用以存储主机系统11所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块406可以是单阶存储单元(SingleLevelCell,SLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储1个比特的快闪存储器模块)、多阶存储单元(MultiLevelCell,MLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储2个比特的快闪存储器模块)、复数阶存储单元(TripleLevelCell，TLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储3个比特的快闪存储器模块)、其他快闪存储器模块或其他具有相同特性的存储器模块。可复写式非易失性存储器模块406中的每一个存储单元是以电压(以下也称为临界电压)的改变来存储一或多个比特。具体来说，每一个存储单元的控制栅极(controlgate)与通道之间有一个电荷捕捉层。通过施予一写入电压至控制栅极，可以改变电荷补捉层的电子量，进而改变存储单元的临界电压。此改变存储单元的临界电压的操作也称为“把数据写入至存储单元”或“程序化(programming)存储单元”。随着临界电压的改变，可复写式非易失性存储器模块406中的每一个存储单元具有多个存储状态。通过施予读取电压可以判断一个存储单元是属于哪一个存储状态，藉此取得此存储单元所存储的一或多个比特。在本范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块406的存储单元会构成多个实体程序化单元，并且此些实体程序化单元会构成多个实体抹除单元。具体来说，同一条字元线上的存储单元会组成一或多个实体程序化单元。若每一个存储单元可存储2个以上的比特，则同一条字元线上的实体程序化单元至少可被分类为下实体程序化单元与上实体程序化单元。例如，一存储单元的最低有效比特(LeastSignificantBit，LSB)是属于下实体程序化单元，并且一存储单元的最高有效比特(MostSignificantBit，MSB)是属于上实体程序化单元。一般来说，在MLCNAND型快闪存储器中，下实体程序化单元的写入速度会大于上实体程序化单元的写入速度，和/或下实体程序化单元的可靠度是高于上实体程序化单元的可靠度。在本范例实施例中，实体程序化单元为程序化的最小单元。即，实体程序化单元为写入数据的最小单元。例如，实体程序化单元为实体页面(page)或是实体扇(sector)。若实体程序化单元为实体页面，则此些实体程序化单元通常包括数据比特区与冗余(redundancy)比特区。数据比特区包含多个实体扇，用以存储使用者数据，而冗余比特区用以存储系统数据(例如，错误更正码等管理数据)。在本范例实施例中，数据比特区包含32个实体扇，且一个实体扇的大小为512比特组(byte,B)。然而，在其他范例实施例中，数据比特区中也可包含8个、16个或数目更多或更少的实体扇，并且每一个实体扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，实体抹除单元为抹除的最小单位。也即，每一实体抹除单元含有最小数目之一并被抹除的存储单元。例如，实体抹除单元为实体区块(block)。图5是根据本发明的一范例实施例所示出的存储器控制电路单元的概要方块图。请参照图5，存储器控制电路单元404包括存储器管理电路502、主机接口504、存储器接口506及温度传感器513。存储器管理电路502用以控制存储器控制电路单元404的整体运作。具体来说，存储器管理电路502具有多个控制指令，并且在存储器存储装置10运作时，此些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。以下说明存储器管理电路502的操作时，等同于说明存储器控制电路单元404的操作。在本范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令是以固体型式来实作。例如，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)与只读存储器(未示出)，并且此些控制指令是被烧录至此只读存储器中。当存储器存储装置10运作时，此些控制指令会由微处理器单元来执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。在另一范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令也可以程序码型式存储于可复写式非易失性存储器模块406的特定区域(例如，存储器模块中专用于存放系统数据的系统区)中。此外，存储器管理电路502具有微处理器单元(未示出)、只读存储器(未示出)及随机存取存储器(未示出)。特别是，此只读存储器具有开机码(bootcode)，并且当存储器控制电路单元404被致能时，微处理器单元会先执行此开机码来将存储于可复写式非易失性存储器模块406中的控制指令载入至存储器管理电路502的随机存取存储器中。之后，微处理器单元会运转此些控制指令以进行数据的写入、读取与抹除等运作。此外，在另一范例实施例中，存储器管理电路502的控制指令也可以一硬体型式来实作。例如，存储器管理电路502包括微控制器、存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路。存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路是连接至微控制器。存储单元管理电路用以管理可复写式非易失性存储器模块406的存储单元或其群组。存储器写入电路用以对可复写式非易失性存储器模块406下达写入指令序列以将数据写入至可复写式非易失性存储器模块406中。存储器读取电路用以对可复写式非易失性存储器模块406下达读取指令序列以从可复写式非易失性存储器模块406中读取数据。存储器抹除电路用以对可复写式非易失性存储器模块406下达抹除指令序列以将数据从可复写式非易失性存储器模块406中抹除。数据处理电路用以处理欲写入至可复写式非易失性存储器模块406的数据以及从可复写式非易失性存储器模块406中读取的数据。写入指令序列、读取指令序列及抹除指令序列可各别包括一或多个程序码或指令码并且用以指示可复写式非易失性存储器模块406执行相对应的写入、读取及抹除等操作。在一范例实施例中，存储器管理电路502还可以下达其他类型的指令序列给可复写式非易失性存储器模块406以指示执行相对应的操作。主机接口504是连接至存储器管理电路502并且用以接收与识别主机系统11所传送的指令与数据。也就是说，主机系统11所传送的指令与数据会通过主机接口504来传送至存储器管理电路502。在本范例实施例中，主机接口504是相容于SATA标准。然而，必须了解的是本发明不限于此，主机接口504也可以是相容于PATA标准、IEEE1394标准、PCIExpress标准、USB标准、SD标准、UHS-I标准、UHS-II标准、MS标准、MMC标准、eMMC标准、UFS标准、CF标准、IDE标准或其他适合的数据传输标准。存储器接口506是连接至存储器管理电路502并且用以存取可复写式非易失性存储器模块406。也就是说，欲写入至可复写式非易失性存储器模块406的数据会经由存储器接口506转换为可复写式非易失性存储器模块406所能接受的格式。具体来说，若存储器管理电路502要存取可复写式非易失性存储器模块406，存储器接口506会传送对应的指令序列。例如，这些指令序列可包括指示写入数据的写入指令序列、指示读取数据的读取指令序列、指示抹除数据的抹除指令序列、以及用以指示各种存储器操作(例如，改变读取电压准位或执行垃圾回收操作等等)的相对应的指令序列。这些指令序列例如是由存储器管理电路502产生并且通过存储器接口506传送至可复写式非易失性存储器模块406。这些指令序列可包括一或多个信号，或是在总线上的数据。这些信号或数据可包括指令码或程序码。例如，在读取指令序列中，会包括读取的辨识码、存储器地址等资讯。温度传感器513连接至存储器管理电路502并且用以感测温度。例如，所感测的温度可以是存储器控制电路单元404和/或可复写式非易失性存储器模块406的温度。温度传感器513可以是热电耦(thermocouple)温度传感器、电阻式(resistance)温度检测器、热电阻(thermistor)温度传感器或半导体(semiconductor)温度传感器等各类型温度传感器。温度传感器513的数目可以是一或多个。温度传感器513的设置位置可以是位于存储器控制电路单元404内部、存储器控制电路单元404外部、可复写式非易失性存储器模块406内部或可复写式非易失性存储器模块406外部，本发明不加以限制。在一范例实施例中，存储器控制电路单元404还包括错误检查与校正电路508、缓冲存储器510与电源管理电路512。错误检查与校正电路508是连接至存储器管理电路502并且用以执行错误检查与校正操作以确保数据的正确性。具体来说，当存储器管理电路502从主机系统11中接收到写入指令时，错误检查与校正电路508会为对应此写入指令的数据产生对应的错误更正码(errorcorrectingcode,ECC)和/或错误检查码(errordetectingcode，EDC)，并且存储器管理电路502会将对应此写入指令的数据与对应的错误更正码和/或错误检查码写入至可复写式非易失性存储器模块406中。之后，当存储器管理电路502从可复写式非易失性存储器模块406中读取数据时会同时读取此数据对应的错误更正码和/或错误检查码，并且错误检查与校正电路508会依据此错误更正码和/或错误检查码对所读取的数据执行错误检查与校正操作。缓冲存储器510是连接至存储器管理电路502并且用以暂存来自于主机系统11的数据与指令或来自于可复写式非易失性存储器模块406的数据。电源管理电路512是连接至存储器管理电路502并且用以控制存储器存储装置10的电源。图6是根据本发明的一范例实施例所示出的管理可复写式非易失性存储器模块的示意图。请参照图6，存储器管理电路502会将可复写式非易失性存储器模块406的实体单元610(0)～610(B)逻辑地分组至存储区601与替换区602。存储区601中的实体单元610(0)～610(A)是用以存储数据，而替换区602中的实体单元610(A+1)～610(B)则是用以替换存储区601中损坏的实体单元。例如，若从某一个实体单元中读取的数据所包含的错误过多而无法被更正时，此实体单元会被视为是损坏的实体单元。须注意的是，若替换区602中没有可用的实体抹除单元，则存储器管理电路502可能会将整个存储器存储装置10宣告为写入保护(writeprotect)状态，而无法再写入数据。在本范例实施例中，每一个实体单元是指一个实体抹除单元。然而，在另一范例实施例中，一个实体单元也可以是指一个实体地址、一个实体程序化单元或由多个连续或不连续的实体地址组成。存储器管理电路502会配置逻辑单元612(0)～612(C)以映射存储区601中的实体单元610(0)～610(A)。在本范例实施例中，每一个逻辑单元是指一个逻辑地址。然而，在另一范例实施例中，一个逻辑单元也可以是指一个逻辑程序化单元、一个逻辑抹除单元或者由多个连续或不连续的逻辑地址组成。此外，逻辑单元612(0)～612(C)中的每一者可被映射至一或多个实体单元。存储器管理电路502会将逻辑单元与实体单元之间的映射关系(也称为逻辑-实体地址映射关系)记录于至少一逻辑-实体地址映射表。当主机系统11欲从存储器存储装置10读取数据或写入数据至存储器存储装置10时，存储器管理电路502可根据此逻辑-实体地址映射表来执行对于存储器存储装置10的数据存取操作。在本范例实施例中，存储器管理电路502会经由温度传感器513感测存储器存储装置10的温度并获得一个温度值。此温度值会随着温度传感器513感测到的温度不同而变化。若温度传感器513感测到的温度越高，则此温度值会越高。若温度传感器513感测到的温度越低，则此温度值会越低。若此温度值反映出存储器存储装置10的当前温度可能会影响到存储器存储装置10甚至导致存储器存储装置10损毁时，存储器管理电路502会启动一个降温操作。此降温操作可用于降低存储器存储装置10的温度。此外，若此温度值反映存储器存储装置10的当前温度已经下降至合理温度时，存储器管理电路502会停止此降温操作。在本范例实施例中，降温操作可基于多个降温等级而执行。假设降温操作可基于降温等级0～N而执行，则基于降温等级0执行的降温操作的降温能力会低于基于降温等级1执行的降温操作的降温能力，基于降温等级1执行的降温操作的降温能力会低于基于降温等级2执行的降温操作的降温能力。依此类推，基于降温等级N-1执行的降温操作的降温能力会低于基于降温等级N执行的降温操作的降温能力。换言之，基于降温等级0执行的降温操作的降温能力最低，而基于降温等级N执行的降温操作的降温能力最高。例如，N可以是10或其他正整数，视实务需求而定。此外，所述降温能力是指在一时间范围内降低存储器存储装置10的温度的能力。在本范例实施例中，在启动降温操作之后，降温操作可以在降温等级0～N之间进行切换，以提高或降低降温能力。须注意的是，对应于降温操作的降温能力增加，存储器存储装置10的系统效能可被降低或者维持不变。对应于降温操作的降温能力降低，存储器存储装置10的系统效能可被提高或者维持不变。在本范例实施例中，在启动降温操作之后，存储器管理电路502会根据降温操作所采用的降温等级更新一个等级参数。一个等级参数会对应于一个降温等级。例如，等级参数0可对应于降温等级0，等级参数1可对应于降温等级1，并且等级参数n可对应于降温等级N。对应于降温操作在降温等级0～N之间进行切换，等级参数会在0～n之间被更新。若当前降温操作是基于降温等级M(M是0至N之间的整数)而执行，则当前的等级参数会被设定为m(m是0至n之间的整数)。在一范例实施例中，等级参数0也称为初始等级参数，并且降温等级0也称为初始降温等级。在一范例实施例中，等级参数与降温等级之间的对应关系可被记载于一个降温表格，如下表1。表1旗标比特等级参数降温等级000111022033044055066以表1为例，假设N为6，则等级参数0～6分别对应于降温等级0～6。旗标比特用以表示当前的等级参数是等级参数0～6中的哪一者。例如，在某一时间点，若等级参数1所对应的旗标比特被设为1(其余旗标比特皆为0)，表示当前等级参数是等级参数1(如表1所示)。在另一时间点，若降温等级从原先的降温等级1被提高至降温等级2，则对应于降温等级1的旗标比特会被设为0，并且对应于降温等级2的旗标比特会被设为1，以表示当前降温操作是操作于降温等级2。根据旗标比特，存储器管理电路502可判定当前的的等级参数是等级参数0～6中的哪一者。此外，在执行降温操作也期间，此降温表格可被载入至图5的缓冲存储器510，以进行表格查询与更新。须注意的是，虽然表1是以一个等级参数对应一个旗标比特的标记方式来识别当前的等级参数及降温等级。然而，在另一范例实施例中，也可以将当前的等级参数记录于一个特定表格或栏位。当需要调整降温等级时，存储器管理电路502可查询此特定表格或栏位而获得当前的等级参数。此外，表1的表格格式仅为范例。在另一范例实施例中，降温表格还可以具有其他格式、记载其他在降温操作中可能会使用到的资讯和/或记载其他与降温操作相关的资讯。例如，在一范例实施例中，降温表格还可以记载不同降温等级所对应的不同降温操作所使用的系统参数等等，本发明不加以限制。在一范例实施例中，假设当前的等级参数为k并且需要提高降温操作的降温等级。根据当前的等级参数k，降温操作当前采用的降温等级K可被更新为降温等级K+1，并且等级参数k会被相应地更新为等级参数k+1。或者，在一范例实施例中，假设当前等级参数为p并且需要降低降温操作的降温等级，根据当前的等级参数p，降温操作当前采用的降温等级P可被更新为降温等级P-1，并且等级参数p也会被相应地更新为等级参数p-1。换言之，根据等级参数，存储器管理电路502可以得知当前降温操作所采用的降温等级，并据以提高或降低降温操作的降温等级。在一范例实施例中，降温操作可以包括降低存储器存储装置10的时脉频率、降低存储器存储装置10的操作电压及降低存储器存储装置10的数据传输频宽等各式降温手段。若某一降温操作对于存储器存储装置10的时脉频率、操作电压和/或数据传输频宽的降低幅度越大，则此降温操作的降温能力往往越高。反之，若某一降温操作对于存储器存储装置10的时脉频率、操作电压和/或数据传输频宽的降低幅度越小，则此降温操作的降温能力往往越低。对应于不同的降温等级，降温操作所采用的降温手段可以完全相同、部分相同或者完全不同，只要符合相应降温等级的降温能力要求即可。在一范例实施例中，若降温操作包括降低存储器存储装置10的数据传输频宽，则存储器管理电路502会根据来自主机系统11的写入数据的数据量是否大于一数据门槛值来决定是否指示将此写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块406。例如，当接收到来自主机系统11的写入数据时，存储器管理电路502会判断此写入数据的数据量是否大于此数据门槛值。若此写入数据的数据量不大于此数据门槛值，存储器管理电路502会指示将此写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块406。然而，若此写入数据的数据量大于此数据门槛值，存储器管理电路502暂不指示将此写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块406。例如，此写入数据可被暂存于图5的缓冲存储器510。同时，存储器管理电路502会动态地更新此数据门槛值。例如，每经过一段预设时间，此数据门槛值会被加上一预设值。在暂停将写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块406之后，在某一特定时间点，若此写入数据的数据量不大于所更新的数据门槛值，则存储器管理电路502会指示将此写入数据写入至可复写式非易失性存储器模块406。在一范例实施例中，假设此数据门槛值预设为300MB。若从主机系统11接收到的某一写入数据的数据量为200MB(200<300)，则此写入数据可允许被传输至可复写式非易失性存储器模块406进行存储。然而，若从主机系统11接收到的某一写入数据的数据量为500MB(500>300)，则此写入数据会被暂存在缓冲存储器510而不即时传输至可复写式非易失性存储器模块406。另一方面，对应于此写入数据不被传输至可复写式非易失性存储器模块406，此数据门槛值会被更新。例如，在经过1毫秒(ms)后，此数据门槛值会被加上一个累加值(例如100MB)而成为400MB。在经过2毫秒后，此数据门槛值会再被加上此累加值(例如100MB)而成为500MB。也就是说，在经过2毫秒之后，此数据门槛值已被更新为500MB，并且暂存在缓冲存储器510中的写入数据的数据量已不大于此数据门槛值(500＝500)。因此，在将此写入数据暂存在缓冲存储器510的时间经过2毫秒之后，此写入数据可允许被传输至可复写式非易失性存储器模块406进行存储。藉此，可达到降低存储器存储装置10的数据传输频宽以进行散热的效果。须注意的是，上述利用写入数据与数据门槛值进行比较以降低存储器存储装置10的数据传输频宽的操作只是降温操作的一个范例，而非用以限制本发明。在其他未提及的范例实施例中，只要可以延迟写入数据的接收、延迟写入数据的存储、降低从主机系统11接收数据的频宽及降低存储器控制电路单元404与可复写式非易失性存储器模块406之间用于传输数据的频宽的手段皆可以包含于降低存储器存储装置10的数据传输频宽的操作中。例如，在一范例实施例中，通过延迟传送对应于某一写入数据的完成信息给主机系统11，也可以达成降低从主机系统11接收数据的频宽的效果。在一范例实施例中，降低存储器存储装置10的时脉频率的操作可包括降低存储器控制电路单元404的时脉频率和/或降低可复写式非易失性存储器模块406的时脉频率。其中，降低可复写式非易失性存储器模块406的时脉频率更可以包括降低用于存储单元的程序化的时脉信号的频率和/或降低用于从存储单元读取数据的时脉信号的频率。此外，降低存储器存储装置10的操作电压可包括降低存储器控制电路单元404的供应电源的电压和/或降低可复写式非易失性存储器模块406的供应电源的电压，在此便不赘述。图7是根据本发明的一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。请参照图7，在本范例实施例中，门槛值Th1与Th2可被决定。门槛值Th1也称为第一门槛值，并且门槛值Th2也称为第二门槛值。例如，门槛值Th1可以是摄氏96度，而门槛值Th2可以是摄氏92度。假设在时间点T1时，温度值达到门槛值Th1。在此，温度值达到门槛值Th1是指温度值等于或大于门槛值Th1。对应于温度值达到门槛值Th1，降温操作701会基于某一降温等级而执行。例如，降温操作701是基于降温等级1而执行，并且当前等级参数被设定为1。在基于降温等级1执行降温操作701后，在时间范围ΔT内，温度值并未下降至小于门槛值Th1。因此，在时间点T2，降温操作702会基于较高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数1，降温操作702可基于降温等级2而执行并且等级参数1会被更新为等级参数2。在基于降温等级2执行降温操作702后，在时间范围ΔT内，温度值仍未下降至小于门槛值Th1。因此，在时间点T3，降温操作703会基于更高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数2，降温操作703可基于降温等级3而执行并且等级参数2会被更新为等级参数3。在基于降温等级3执行降温操作703后，温度值很快下降至小于门槛值Th1(例如，在时间范围ΔT内下降至小于门槛值Th1)。因此，在时间点T3之后，降温操作703持续基于降温等级3而执行，使得温度值持续下降。在时间点T4，温度值达到门槛值Th2。在此，温度值达到门槛值Th2是指温度值等于或小于门槛值Th2。对应于温度值达到门槛值Th2，根据当前的等级参数3，基于降温等级2的降温操作702会被执行并且等级参数3会被更新为等级参数2。在时间点T4之后，温度值可能逐渐上升。在时间点T5，若温度值再次达到门槛值Th1，降温操作的降温等级可再次被提高。例如，根据当前的等级参数2，降温操作703可基于降温等级3而执行并且等级参数2会被更新为等级参数3。然后，若温度值又下降至门槛值Th2，则降温操作的降温等级可再次被降低。例如，根据当前的等级参数3，降温操作702可基于降温等级2而执行并且等级参数3会被更新为等级参数2。依此类推，在时间点T5之后，温度值可能会在门槛值Th1与Th2之间震荡并且可能逐渐收敛在门槛值Th1与Th2的平均值附近。图8是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。请参照图8，假设在时间点T1时，温度值达到门槛值Th1。对应于温度值达到门槛值Th1，降温操作801会基于某一降温等级而执行。在本范例实施例中，降温操作801是基于降温等级0而执行，并且当前等级参数被设定为0。须注意的是，降温等级0是最低的降温等级。在基于降温等级0执行降温操作801后，假设温度值很快地下降至小于门槛值Th1(例如，在时间范围ΔT内下降至小于门槛值Th1)。因此，在时间点T1之后，降温操作801基于降温等级0而持续执行，使得温度值持续下降。在时间点T2，温度值达到门槛值Th2。对应于温度值达到门槛值Th2，降温操作可被停止。在停止降温操作后，温度值可能逐渐回升。若温度值再次达到门槛值Th1，降温操作801可再次基于降温等级0而执行，并且当前等级参数被设定为0。依此类推，温度值可能会持续在门槛值Th1与Th2之间震荡并且可能逐渐收敛在门槛值Th1与Th2的平均值附近。图9是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。请参照图9，在本范例实施例中，门槛值Th1、Th2及Th3可被决定。门槛值Th3介于门槛值Th1与Th2之间。例如，门槛值Th3可为门槛值Th1与Th2的平均值或其他数值。例如，门槛值Th1、Th2及Th3可以分别是摄氏96度、92度及94度。在本范例实施例中，门槛值Th1也称为第一门槛值，门槛值Th2也称为第二门槛值，并且门槛值Th3也称为第三门槛值。假设在时间点T1，温度值达到门槛值Th3。在此，温度值达到门槛值Th3是指温度值等于或大于门槛值Th3。对应于温度值达到门槛值Th3，降温操作901会基于某一降温等级而执行。在本范例实施例中，门槛值Th3是用以启动降温操作。因此，对应于温度值达到门槛值Th3，降温操作901会基于降温等级0而执行，并且当前等级参数被设定为0。然而，在另一范例实施例中，在温度值达到门槛值Th3之前，降温操作也可能已启动(例如，在温度值超过门槛值Th2时启动)，本发明不加以限制。在基于降温等级0执行降温操作901后，若温度值持续上升而达到门槛值Th1，降温操作902会基于较高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数0，降温操作902可基于降温等级1而执行并且等级参数0会被更新为等级参数1。在基于降温等级1执行降温操作902后，在时间范围ΔT内，温度值未下降至小于门槛值Th1。因此，在时间点T3之后，降温操作903会基于更高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数1，降温操作903可基于降温等级2而执行并且等级参数1会被更新为等级参数2。在时间点T3后，温度值很快下降至小于门槛值Th1(例如，在时间范围ΔT内下降至小于门槛值Th1)。因此，降温操作903持续基于降温等级2而执行，使得温度值持续下降。在时间点T4，温度值达到门槛值Th2。对应于温度值达到门槛值Th2，降温操作的降温等级可被下降。例如，根据当前的等级参数2，基于降温等级1的降温操作902可被重新执行并且等级参数2会被更新为等级参数1。在时间点T4之后，温度值可能逐渐上升。在时间点T5，若温度值再次达到门槛值Th1，降温操作的降温等级可再次被提高。例如，根据当前的等级参数1，降温操作903可再次基于降温等级2而执行并且等级参数1会被更新为等级参数2。然后，在时间点T6，若温度值又下降至门槛值Th2，则降温操作的降温等级可再次被降低。例如，根据当前的等级参数2，降温操作902可再次基于降温等级1而执行并且等级参数2会被更新为等级参数1。依此类推，在时间点T6之后，温度值可能会在门槛值Th1与Th2之间震荡并且可能逐渐收敛在门槛值Th1与Th2的平均值(例如，门槛值Th3)附近。图10是根据本发明的另一范例实施例所示出的温度值受到降温操作影响的示意图。请参照图10，假设在时间点T1时，温度值达到门槛值Th3。对应于温度值达到门槛值Th3，降温操作可被启动。例如，降温操作1001可基于降温等级0而执行，并且当前等级参数被设定为0。然而，在另一范例实施例中，在温度值达到门槛值Th3之前，降温操作也可能已启动，本发明不加以限制。在基于降温等级0执行降温操作1001后，若温度值持续上升而达到门槛值Th1，降温操作1002会基于较高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数0，降温操作1002可基于降温等级1而执行并且等级参数0会被更新为等级参数1。在基于降温等级1执行降温操作1002后，在时间范围ΔT内，温度值未下降至小于门槛值Th1。因此，在时间点T3之后，降温操作1003会基于更高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数1，降温操作1003可基于降温等级2而执行并且等级参数1会被更新为等级参数2。在时间点T3后，虽然温度值有下降但仍然未在时间范围ΔT内下降至小于门槛值Th1。因此，在时间点T4之后，降温操作1004会基于更高的另一降温等级而执行。例如，根据当前的等级参数2，降温操作1004可基于降温等级3而执行并且等级参数2会被更新为等级参数3。在时间点T4后，温度值很快下降至小于门槛值Th1(例如，在时间范围ΔT内下降至小于门槛值Th1)。因此，降温操作1004持续基于降温等级3而执行，使得温度值持续下降。在时间点T5，温度值达到门槛值Th2。对应于温度值达到门槛值Th2，降温操作的降温等级可被下降。例如，根据当前的等级参数3，基于降温等级2的降温操作1003可被重新执行并且等级参数3会被更新为等级参数2。在时间点T5之后，温度值可能逐渐上升。在时间点T6，温度值达到门槛值Th3。对应于温度值达到门槛值Th3，降温操作的降温等级可被提高。例如，在时间点T6之后，根据当前的等级参数2，降温操作1004可基于降温等级3而执行并且等级参数2会被更新为等级参数3。然后，在时间点T7，若温度值又下降至门槛值Th2，则降温操作的降温等级可再次被降低。例如，根据当前的等级参数3，降温操作1003可再次基于降温等级2而执行并且等级参数3会被更新为等级参数2。依此类推，在时间点T7之后，温度值可能会在门槛值Th2与Th3之间震荡并且可能逐渐收敛在门槛值Th2与Th3的平均值附近。须注意的是，在图7至图10的范例实施例中，是假设存储器存储装置10的温度只受到降温操作的影响而上升或下降，故温度值会根据所执行的降温操作而逐渐收敛于门槛值Th1与Th2(或门槛值Th2与Th3)之间。在部分未提及的范例实施例中，若外部环境温度下降、存储器存储装置10停止执行数据存取操作或存储器存储装置10进入闲置(idle)状态等等，也可能导致存储器存储装置10的温度自然下降。在检测到的温度值逐渐下降的情况下，降温操作所采用的降温等级也可逐渐降低甚至降温操作可停止。或者，在一范例实施例中，若温度值低于另一门槛值(也称为第四门槛值)，则降温操作也可直接停止。其中，第四门槛值会小于第二门槛值。在图7至图9的前述范例实施例中，是以门槛值Th1作为提高降温操作的降温等级的触发点，并且以门槛值Th2作为降低降温操作的降温等级的触发点。若在一段时间范围(例如，时间范围ΔT)内温度值未下降至小于门槛值Th1，降温操作的降温等级就会提高一级。类似地，若在一段时间范围(例如，时间范围ΔT)内温度值未上升至高于门槛值Th2，降温操作的降温等级就会降低一级。例如，在图10的一范例实施例中，在时间点T7之后，若温度值未上升至高于门槛值Th2(例如，温度值持续下降)，则每经过一段预设时间范围(例如，时间范围ΔT)，降温操作的降温等级就会下降一级(例如，从降温等级2下降为降温等级1，或从降温等级1下降为降温等级0)。若降温等级为0且温度值持续下降(或温度值未上升至门槛值Th2)，则可停止降温操作。在图9的前述范例实施例中，是以门槛值Th3作为启动降温操作的触发点，并且在启动降温操作之后，分别以门槛值Th1与Th2作为提高与降低降温操作的降温等级的触发点。然而，在图10的前述范例实施例中，门槛值Th3除了可作为启动降温操作的触发点外，还可以作为提高降温等级的触发点。或者，在未提及的一范例实施例中，门槛值Th3也可以作为降低降温操作的降温等级的触发点。例如，在门槛值Th3作为降低降温等级的触发点的范例实施例中，当温度值低于门槛值Th3时，降温操作的降温等级可被降低。在一范例实施例中，即便温度值在预设的时间范围内下降至低于第一门槛值，只要温度值再次达到第一门槛值，降温操作的降温等级就会增加。例如，在图7的另一范例实施例中，在时间点T3之后，降温操作703是基于降温等级3而执行。然而，在时间点T3之后，若温度值在预设的时间范围(例如，时间范围ΔT)内下降至低于门槛值Th1且在达到门槛值Th2之前就又回升至高于门槛值Th1，则降温操作的降温等级可被提升。例如，从降温等级3提高至降温等级4。或者，在图7的另一范例实施例中，在时间点T4之后，降温操作702是基于降温等级2而执行。然而，在时间点T4之后，若温度值在预设的时间范围(例如，时间范围ΔT)内回升至超过门槛值Th2且在达到门槛值Th1之前就又降回门槛值Th2以下，则降温操作的降温等级可被降低。例如，从降温等级2降低至降温等级1。须注意的是，在前述范例实施例中，降温等级每一次的调整都是以一级为调整单位。然而，在一范例实施例中，降温等级也可以一次提高多级(例如，从降温等级0提高至降温等级3)，和/或降温等级也可以一次降低多级(例如，从降温等级4降低至降温等级2)，本发明不加以限制。在一范例实施例中，温度值的上升速率可以被检测。若温度值的上升速率高于一预设速率(例如，温度值在一时间单位内的上升幅度高于一预设幅度)，则当判定需要提高降温操作的降温等级时，降温等级可以一次提高多级(例如，2级或3级)。在一范例实施例中，降温等级要提高几级也可以是根据温度值的上升速率而决定。若温度值的上升速率越高，则降温等级的单次提高幅度也越高。换言之，降温等级的单次提高幅度可正相关于温度值的上升速率。在一范例实施例中，温度值的下降速率也可以被检测。若温度值的下降速率高于一预设速率(例如，温度值在一时间单位内的下降幅度高于一预设幅度)，则当判定需要降低降温操作的降温等级时，降温等级也可以一次降低多级(例如，2级或3级)。在一范例实施例中，降温等级要下降几级也可以是根据温度值的下降速率而决定。若温度值的下降速率越高，则降温等级的单次下降幅度也越高。换言之，降温等级的单次降低幅度可正相关于温度值的下降速率。须注意的是，前述范例实施例提出了多种降温操作的降温等级的调整机制与实施细节，但本发明仍不限于此。在部分未提及的范例实施例中，只要某一降温操作的降温等级不是根据温度值当前位于某一预设温度范围而决定的固定等级，和/或某一降温操作的降温等级是根据温度值与单一门槛值的比较结果而提高或降低，则此降温操作即属于本发明的范畴。图11是根据本发明的一范例实施例所示出的温度控制方法的流程图。请参照图11，在步骤S1101中，经由温度传感器感测温度并获得温度值。在步骤S1102中，判断降温操作是否已执行(或已启动)。若降温操作已执行(或已启动)，则进入步骤S1105。若降温操作尚未执行(或尚未启动)，则在步骤S1103中，判断温度值是否等于或大于第三门槛值。若温度值未等于或大于第三门槛值，回到步骤S1101。若温度值等于或大于第三门槛值，在步骤S1104中，执行(或启动)降温操作。在步骤S1105中，判断温度值是否等于或大于第一门槛值。若温度值等于或大于第一门槛值，在步骤S1106中，提高降温操作的降温等级，以提高降温操作的降温能力。在步骤S1106之后，回到步骤S1101。若温度值未等于或大于第一门槛值，在步骤S1107中，判断温度值是否等于或小于第二门槛值。若温度值等于或小于第二门槛值，在步骤S1108中，降低降温操作的降温等级，以降低降温操作的降温能力。在步骤S1108之后，回到步骤S1101。此外，若步骤S1107判断为否，也回到步骤S1101。然而，图11中各步骤已详细说明如上，在此便不再赘述。值得注意的是，图11中各步骤可以实作为多个程序码或是电路，本发明不加以限制。此外，图11的方法可以搭配以上范例实施例使用，也可以单独使用，本发明不加以限制。例如，步骤S1101～S1108皆可由图5的存储器管理电路502或存储器控置电路单元404执行。综上所述，当判定需要执行降温操作来降低存储器存储装置的温度时，所执行的降温操作的降温等级不是根据所测得的温度值当前位于某一预设温度范围而决定的一个固定等级，而是根据所测得的温度值与至少一个门槛值的比较结果而决定要提高或降低。因此，在由第一门槛值与第二门槛值限定的温度区间中，所执行的降温操作的降温等级可动态地被决定，从而在降温能力以及存储器存储装置的系统效能之间取得平衡。虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属
技术领域：
：中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。当前第1页1 2 3 当前第1页1 2 3
技术特征：
1.一种温度控制方法，用于存储器控制电路单元，其中所述存储器控制电路单元用以控制可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述温度控制方法包括：
经由温度传感器感测温度并获得温度值；
若所述温度值达到第一门槛值，基于第一降温等级执行降温操作，并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级；以及
在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，
其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：
在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
3.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：
在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
4.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：
在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，
其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。
5.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：
在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
6.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：
在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，基于初始降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，
其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。
7.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中所述降温操作包括：
根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
8.根据权利要求7所述的温度控制方法，其中根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的步骤包括：
若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；
动态更新所述数据门槛值；以及
若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：
连接接口单元，用以连接至主机系统；
可复写式非易失性存储器模块；
温度传感器；以及
存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元、所述可复写式非易失性存储器模块及所述温度传感器，
其中所述存储器控制电路单元用以经由所述温度传感器感测温度并获得温度值，
其中若所述温度值达到第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级，
其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，
其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。
10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元用以根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元更用以持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
12.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，
其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。
13.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元更用以持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
14.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，所述存储器控制电路单元更用以基于初始降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，
其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。
15.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在所述降温操作中，所述存储器控制电路单元更用以根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
16.根据权利要求15所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：
若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；
动态更新所述数据门槛值；以及
若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
17.一种存储器控制电路单元，用于控制可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述存储器控制电路单元包括：
主机接口，用以连接至主机系统；
存储器接口，用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块；
温度传感器；以及
存储器管理电路，连接至所述主机接口、所述存储器接口及所述温度传感器，
其中所述存储器管理电路用以经由所述温度传感器感测温度并获得温度值，
其中若所述温度值达到第一门槛值，所述存储器管理电路更用以基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级，
其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，所述存储器管理电路更用以根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，
其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。
18.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，所述存储器管理电路用以根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
19.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器管理电路更用以持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
20.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，所述存储器管理电路更用以根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，
其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。
21.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器管理电路更用以持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，
其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。
22.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，所述存储器管理电路更用以基于初始降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，
其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。
23.根据权利要求17所述的存储器控制电路单元，其中在所述降温操作中，所述存储器管理电路更用以根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
24.根据权利要求23所述的存储器控制电路单元，其中所述存储器管理电路根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：
若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；
动态更新所述数据门槛值；以及
若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。
技术总结
本发明的一范例实施例提供一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：经由温度传感器感测温度并获得温度值；若温度值达到第一门槛值，基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数；以及在基于第一降温等级执行降温操作之后，若温度值未在第一时间范围内降低至小于第一门槛值，根据第一等级参数而基于第二降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第二等级参数，其中基于第二降温等级执行的降温操作的降温能力高于基于第一降温等级执行的降温操作的降温能力。
技术研发人员：刘绍先
受保护的技术使用者：群联电子股份有限公司
技术研发日：.08.18
技术公布日：.03.01
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