1、堆栈式CMOS的感光二极管在电路晶体管后方，进光量会因受到遮挡而减少，因而光线越弱成像越差。而背照式CMOS就是将电路晶体管和感光二极管的位置调转，光线首先进入感光二极管，这样就增大了感光量，从而显著提高低光照条件下的拍摄效果
2、背照式CMOS接收的是经过感光二极管放大的光元素，一个像素点的面积可以被放大，所以背照式CMOS对弱光的捕捉能力更厉害，因而高感也就更强大，而堆栈式CMOS是先接收光元素后再由感光二极管进行工作，一个像素点的面积不会变大，因而对弱光的扑捉能力比背照式CMOS差，高感也就弱
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