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显示面板及制备方法与流程

时间:2019-12-12 22:35:48

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本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及制备方法。

背景技术:

目前,显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示,用于显示画面的显示面板也多种多样,而且可以显示丰富多彩的画面。

目前的显示面板的子像素发出的光的波长不稳定,且存在色差,造成画面质量不佳的技术问题。

技术实现要素:

有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板及制备方法,以解决现有技术中显示面板的子像素发出的光的波长不稳定,且存在色差,造成画面质量不佳的技术问题

第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:

基板;

所述基板的一侧包括像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;

其中,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素包括基础发光结构,所述基础发光结构位于所述基板的一侧,且所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第二子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第三子像素发出光的波长。

可选地,所述第二子像素包括第一量子点荧光层,所述第一量子点荧光层位于所述基础发光结构远离所述基板的一侧,和/或,所述第三子像素包括第二量子点荧光层,所述第二量子点荧光层位于所述基础发光结构远离所述基板的一侧。

可选地,所述基础发光结构包括微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片。

可选地,所述第一量子点荧光层包括红色量子点荧光层;和/或,

所述第二量子点荧光层包括绿色量子点荧光层。

第二方面,本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法,包括:

提供基板;

在所述基板的一侧形成像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;

其中,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素包括基础发光结构,所述基础发光结构位于所述基板的一侧,且所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第二子像素发出光的波长。

可选地,在所述基板的一侧形成像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素包括:

获取第一子像素的放置位置、第二子像素的放置位置和第三子像素的放置位置;

在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素。

可选地,在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成基础发光结构阵列;

在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素。

可选地,在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的在所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成第一薄膜,所述第一薄膜在所述第二子像素的放置位置处设置有第一通孔,所述第一通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第一通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面形成第一量子点荧光层;

去除所述第一薄膜;和/或,

在所述基板的一侧形成第二薄膜,所述第二薄膜在所述第三子像素的放置位置处设置有第二通孔,所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第三子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二薄膜,所述薄膜包括第二通孔,所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面形成第二量子点荧光层;

去除所述第二薄膜。

可选地,在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的在所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成第三薄膜,所述第三薄膜在所述第二子像素的放置位置处设置有第一凹槽,所述第三薄膜在第三子像素的放置位置处设置有第二凹槽,所述第一凹槽与所述第二子像素的放置位置一一对应设置,所述第二凹槽与所述第三子像素的放置位置一一对应设置;

在所述第一凹槽内形成所述第一量子点荧光层;

在所述第二凹槽内形成所述第二量子点荧光层。

可选地,在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素包括:

分别形成第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素包括基础发光结构和第一量子点荧光层,所述第二子像素包括基础发光结构和第二量子点荧光层,所述第三子像素包括基础发光结构;

将所述第一子像素放置在所述第一子像素的放置位置,将所述第二子像素放置在所述第二子像素的放置位置,将所述第三子像素放置在所述第三子像素的放置位置。

本发明实施例提供的技术方案,包括位于基板一侧的像素阵列,像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,且每个子像素均包括基础发光结构,基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于所述第二子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于所述第三子像素发出光的波长,无需控制多种发光结构,来使得不同子像素发出不同波长的光,提高了每个子像素发出的光的波长的稳定性,降低了色差,解决了现有技术中不同光色芯片波段混bin会造成光色一致性校正难度较大,以至于造成画面质量不佳的技术问题。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;

图2为图1中的显示面板a-a’的剖面图;

图3为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法各步骤对应的剖面图;

图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图7为本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法各步骤对应的剖面图;

图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图10-图11为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法各步骤对应的剖面图;

图12为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图;

图13-图14为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法各步骤对应的剖面图;

图15为本发明实施例提供的又一种显示面板的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1示出了本发明实施例提供的一种显示面板,参见图1,该显示面板包括:基板10;基板10的一侧包括像素阵列20,像素阵列包括第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23;其中,第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23包括基础发光结构,基础发光结构位于基板10的一侧,且基础发光结构发出光的波长小于或等于第一子像素发出光的波长,基础发光结构发出光的波长小于或等于第二子像素22发出光的波长,基础发光结构发出光的波长小于或等于第三子像素22发出光的波长。示例性的,图1示出了3行6列的像素阵列20。由下至上,第一行是第一子像素21、第二行是第二子像素22、第三行是第三子像素23。其中每一列的第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23可以构成一个像素单元。

在本实施例中,示例性的,基础发光结构发出的可以是蓝色光,可以利用发蓝色光的基础发光结构去激发一些波长大于蓝色光波长的荧光材料,使得第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23发出光的波长大于基础发光结构发出光的波长。当基础发光结构发出光的波长等于第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23发出光的波长时,第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23可以不包括荧光材料。

在本实施例中,基础发光结构可以为发光二极管,发光二极管具有发光效率高、体积小、寿命高、节能环保等优点。

现有技术中,显示面板中采用三基色发光芯片,去构成一个像素包括的3个子像素的发光结构,其中红色发光单元芯片的价格比较高,且产品的良率比较低,并且采用三基色发光芯片,但是三基色发光芯片发光,发出的波长不稳定,存在色差,即不同光色芯片波段混bin会造成光色一致性校正难度较大,以至于造成画面质量不佳的技术问题。

本发明实施例提供的一种显示面板,包括位于基板一侧的像素阵列,像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,且每个子像素均包括基础发光结构,基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于所述第二子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于所述第三子像素发出光的波长,无需控制多种发光结构,来使得不同子像素发出不同波长的光,提高了每个子像素发出的光的波长的稳定性,降低了色差,解决了现有技术中不同光色芯片波段混bin会造成光色一致性校正难度较大,以至于造成画面质量不佳的技术问题。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图2,第二子像素22包括第一量子点荧光层220,第一量子点荧光层220位于基础发光结构200远离基板10的一侧,和/或,第三子像素23包括第二量子点荧光层230,第二量子点荧光层230位于基础发光结构200远离基板10的一侧。

在本实施例中,第二子像素22包括第一量子点荧光层220,第一量子点荧光层220位于基础发光结构200远离基板10的一侧,第二子像素22的发光机理如下:

基础发光结构200发出的光激发第一量子点荧光层220,发出与第一量子点荧光层220对应颜色的光,其波长大于基础发光结构200发出的光。

第三子像素23包括第二量子点荧光层230,第二量子点荧光层230位于基础发光结构200远离基板10的一侧,第三子像素23的发光机理如下:

基础发光结构200发出的光激发第二量子点荧光层230,发出与第二量子点荧光层230对应颜色的光,其波长大于基础发光结构200发出的光。

第一子像素21不包括量子点荧光层,则第一子像素21发出的光为基础发光结构200发出的光。

本发明实施例不限定子像素的个数,本领域技术人员可以根据实际情况自行确认。

量子点作为半导体荧光材料,称之为量子点荧光材料,具有发光波长连续可调、发光峰尖锐、荧光量子产率高、寿命长等优点。

可选地,在上述技术方案的基础上,基础发光结构200包括微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片。

在本实施例中,微型(micro)蓝光发光二极管芯片,以及迷你(mini)蓝光发光二极管芯片具有高效率、高亮度、高可靠性、响应时间短的优点。每一个微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片均可以作为一个子像素的基础发光结构。

在本实施例中,利用微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片去激发量子点发光层,使得第二子像素或者第三子像素发出大于蓝光波长的光。第一子像素发出蓝色光。

可选地,在上述技术方案的基础上,第一量子点荧光层220包括红色量子点荧光层。和/或,第二量子点荧光层230包括绿色量子点荧光层。

在本实施例中,利用微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片去激发红色量子点荧光层,使得第二子像素22发出红光。利用基础发光结构去激发绿色量子点荧光层,使得第三子像素23发出绿光。对于一个像素来说,第一子像素发蓝光,第二子像素发红光、第三子像素发绿光,可以通过控制微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片发光亮度,来控制蓝光、红光以及绿光的发光亮度,使得显示面板呈现出不同画面,无需控制多种发光结构,来使得不同子像素发出不同波长的光,提高了每个子像素发出的光的波长的稳定性,降低了色差,解决了现有技术中不同光色芯片波段混bin会造成光色一致性校正难度较大,以至于造成画面质量不佳的技术问题。

基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法,图3示出了本发明实施例提的一种显示面板的制备方法,参见图3,该制备方法包括如下步骤:

步骤110、提供基板。

参见图4,提供基板10。基板10可以是印刷电路板。

步骤120、在基板的一侧形成像素阵列,像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,第一子像素、第二子像素以及第三子像素包括基础发光结构,基础发光结构位于基板的一侧,且所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,基础发光结构发出光的波长或等于小于第二子像素发出光的波长,基础发光结构发出光的波长小于或等于第三子像素发出光的波长。

以图1和图2为例进行说明,在基板10的一侧形成像素阵列20,像素阵列20包括第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23;其中,第一子像素21、第二子像素22以及第三子像素23包括基础发光结构200,基础发光结构200位于基板的一侧,且所述基础发光结构200发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,基础发光结构200发出光的波长或等于小于第二子像素发出光的波长,基础发光结构200发出光的波长小于或等于三子像素发出光的波长。

在本实施例中提供的制备方法得到的显示面板,利用微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片去激发红色量子点荧光层,使得第二子像素22发出红光。利用基础发光结构去激发绿色量子点荧光层,使得第三子像素23发出绿光。对于一个像素来说,第一子像素发蓝光,第二子像素发红光、第三子像素发绿光,可以通过控制微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片发光亮度,来控制蓝光、红光以及绿光的发光亮度,使得显示面板呈现出不同画面,无需控制多种发光结构,来使得不同子像素发出不同波长的光,提高了每个子像素发出的光的波长的稳定性,降低了色差,解决了现有技术中不同光色芯片波段混bin会造成光色一致性校正难度较大,以至于造成画面质量不佳的技术问题。

可选地,在步骤120之后,采用高精度喷墨涂设备在基板的一侧形成封装薄膜层,覆盖基板10,既可以提高画面的对比度,又可以减少相邻子像素之间的光色干扰。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图5,步骤120在基板的一侧形成像素阵列,像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素包括:

步骤1201、获取第一子像素的放置位置、第二子像素的放置位置和第三子像素的放置位置。

以图1为例进行说明,像素阵列20包括3行6列的子像素。第一子像素21的放置位置位于像素阵列20的第一行,第二子像素22的放置位置位于像素阵列20的第二行,第三子像素23的放置位置位于像素阵列20的第三行。这样,每一列的第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23可以构成一个像素单元。可选地,相邻子像素之间的间隔可以约为5um。

步骤1202、在第一子像素的放置位置形成第一子像素,在第二子像素的放置位置形成第二子像素,在第三子像素的放置位置形成第三子像素。

以图1为例进行说明,在第一子像素21的放置位置形成第一子像素21,在第二子像素22的放置位置形成第二子像素22,在第三子像素23的放置位置形成第三子像素23。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图6,步骤1202、在第一子像素的放置位置形成第一子像素,在第二子像素的放置位置形成第二子像素,在第三子像素的放置位置形成第三子像素包括:

步骤1、在基板的一侧形成基础发光结构阵列。

参见图7、在基板10的一侧形成基础发光结构阵列,基础发光结构阵列由阵列排布的基础发光结构200组成。可选地,基础发光结构200可以通过固晶、回流工序固定在基板10上。

步骤1、在第二子像素的放置位置处的基础发光结构远离基板的一侧形成第一量子点荧光层,基础发光结构和第一量子点发光层构成第二子像素,和/或,在第三子像素的放置位置处的基础发光结构远离基板的一侧形成第二量子荧光层,基础发光结构和第二量子点发光层构成第三子像素。

以图2为例进行说明,在第二子像素22的放置位置处的基础发光结构200远离基板10的一侧形成第一量子点荧光层220,基础发光结构200和第一量子点发光层220构成第二子像素22,和/或,在第三子像素23的放置位置处的基础发光结构200远离基板10的一侧形成第二量子荧光层230,基础发光结构200和第二量子点发光层230构成第三子像素23。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图8和图9,步骤1、在第二子像素的放置位置处的基础发光结构远离基板的一侧形成第一量子点荧光层,基础发光结构和第一量子点发光层构成第二子像素,和/或,在第三子像素的放置位置处的在基础发光结构远离基板的一侧形成第二量子荧光层,基础发光结构和第二量子点发光层构成第三子像素包括:

步骤11、在基板的一侧形成第一薄膜,所述第一薄膜在第二子像素的放置位置处设置有第一通孔,第一通孔露出基础发光结构远离基板的一面。

可选地,参见图10,第一薄膜30是提前做好的,将第一薄膜30放置在基板10的一侧。第一薄膜30在第二子像素22的放置位置处设置有第一通孔301,第一通孔301露出基础发光结构200远离基板10的一面。可选地,第一通孔301的形成工艺可以是激光刻蚀。

步骤12、在第一通孔露出基础发光结构远离基板的一面形成第一量子点荧光层。

以图2为例进行说明,在第一通孔301露出基础发光结构200远离基板10的一面形成第一量子点荧光层220。可选地,可以通过喷涂工艺在第一通孔301露出基础发光结构200远离基板10的一面形成第一量子点荧光层220。

步骤13、去除第一薄膜。

以图2为例进行说明,去除第一薄膜30。可选地,第一薄膜30可以是光刻胶,其做成的第一薄膜30的柔韧度较好。

和/或,步骤1可以包括如下步骤:

步骤14、在基板的一侧形成第二薄膜,所述第二薄膜在第三子像素的放置位置处设置有第二通孔,第二通孔露出基础发光结构远离基板的一面。

参见图11,在基板10的一侧形成第二薄膜40,所述第二薄膜40在第三子像素23的放置位置处设置有第二通孔401,第二通孔401露出基础发光结构200远离基板10的一面。可选地,第二薄膜40是提前做好的,将第二薄膜40放置在基板10的一侧。可选地,第二通孔401的形成工艺可以是激光刻蚀。

步骤15、在第二通孔露出基础发光结构远离基板的一面形成第二量子点荧光层。

以图2为例进行说明,在第二通孔401露出基础发光结构200远离基板10的一面形成第二量子点荧光层230。可选地,可以通过喷涂工艺在在第二通孔401露出基础发光结构200远离基板10的一面形成第二量子点荧光层230。

步骤16、去除第二薄膜。

以图2为例进行说明,去除第二薄膜40。可选地,第二薄膜40可以是光刻胶,其做成的第二薄膜40的柔韧度较好。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图12,步骤1、在第二子像素的放置位置处的基础发光结构远离基板的一侧形成第一量子点荧光层,基础发光结构和第一量子点发光层构成第二子像素,和/或,在第三子像素的放置位置处的在基础发光结构远离基板的一侧形成第二量子荧光层,基础发光结构和第二量子点发光层构成第三子像素包括:

步骤17、在基板的一侧形成第三薄膜,所述第三薄膜在第二子像素的放置位置处设置有第一凹槽,所述第三薄膜在第三子像素的放置位置处设置有第二凹槽,第一凹槽与第二子像素的放置位置一一对应设置,第二凹槽与第三子像素的放置位置一一对应设置。

参见图13,在基板10的一侧形成第三薄膜50,所述第三薄膜50在第二子像素22的放置位置处设置有第一凹槽501,所述第三薄膜50在第三子像素23的放置位置处设置有第二凹槽502,第一凹槽501与第二子像素22的放置位置一一对应设置,第二凹槽502与第三子像素的放置位置一一对应设置。

步骤18、在第一凹槽内形成第一量子点荧光层。

参见图14,在第一凹槽501形成第一量子点荧光层220。可选地,可以通过喷涂工艺在第一凹槽501形成第一量子点荧光层220。

步骤19、在第二凹槽内形成第二量子点荧光层。

参见图14,在第二凹槽502内形成第二量子点荧光层230。可选地,第三薄膜50可以是透明薄膜,可以不用去除。可选地,可以通过喷涂工艺在第二凹槽502内形成第二量子点荧光层230。

可选地,第一凹槽501和第二凹槽502的深度约为10~20μm。

可选地,在上述技术方案的基础上,参见图15,步骤1202、在第一子像素的放置位置形成第一子像素,在第二子像素的放置位置形成第二子像素,在第三子像素的放置位置形成第三子像素包括:

步骤1、分别形成第一子像素、第二子像素和第三子像素,第一子像素包括基础发光结构和第一量子点荧光层,第二子像素包括基础发光结构和第二量子点荧光层,第三子像素包括基础发光结构。

可选地,第一子像素21的形成可以是:参见图2和图7,首先制作基础发光结构阵列,通过高精度的切割刀,切割得到分立的基础发光结构200,作为第一子像素21。

第二子像素22的形成可以是:参见图2和图7,在基础发光结构阵列表面制作一层第一量子点荧光层,通过高精度的切割刀,切割得到分立以形成第二子像素22,第二子像素22包括基础发光结构200,以及第一量子点荧光层220。

第三子像素23的形成可以是:参见图2和图7,在基础发光结构阵列表面制作一层第二量子点荧光层230,通过高精度的切割刀,切割得到分立形成第三子像素23,第三子像素23包括基础发光结构200以及第二量子点荧光层230。

步骤12024、将第一子像素放置在第一子像素的放置位置,将第二子像素放置在第二子像素的放置位置,将第三子像素放置在第三子像素的放置位置。

以图2为例,将第一子像素21放置在第一子像素的放置位置,将第二子像素22放置在第二子像素的放置位置,将第三子像素23放置在第三子像素的放置位置。可选地,可以第一子像素21、第二子像素22和第三子像素23可以通过固晶、回流工序固定在基板10上。

注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

技术特征:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

基板;

所述基板的一侧包括像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;

其中,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素包括基础发光结构,所述基础发光结构位于所述基板的一侧,且所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第二子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第三子像素发出光的波长。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二子像素包括第一量子点荧光层,所述第一量子点荧光层位于所述基础发光结构远离所述基板的一侧;和/或,所述第三子像素包括第二量子点荧光层,所述第二量子点荧光层位于所述基础发光结构远离所述基板的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述基础发光结构包括微型蓝光发光二极管芯片或者迷你蓝光发光二极管芯片。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,

所述第一量子点荧光层包括红色量子点荧光层;和/或,

所述第二量子点荧光层包括绿色量子点荧光层。

5.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:

提供基板;

在所述基板的一侧形成像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;

其中,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素包括基础发光结构,所述基础发光结构位于所述基板的一侧,且所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第一子像素发出光的波长,所述基础发光结构发出光的波长小于或等于所述第二子像素发出光的波长。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述基板的一侧形成像素阵列,所述像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素包括:

获取第一子像素的放置位置、第二子像素的放置位置和第三子像素的放置位置;

在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成基础发光结构阵列;

在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的在所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成第一薄膜,所述第一薄膜在所述第二子像素的放置位置处设置有第一通孔,所述第一通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第一通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面形成第一量子点荧光层;

去除所述第一薄膜;和/或,

在所述基板的一侧形成第二薄膜,所述第二薄膜在所述第三子像素的放置位置处设置有第二通孔,所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第三子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二薄膜,所述薄膜包括第二通孔,所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面;

在所述第二通孔露出所述基础发光结构远离所述基板的一面形成第二量子点荧光层;

去除所述第二薄膜。

9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述第二子像素的放置位置处的所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第一量子点荧光层,所述基础发光结构和所述第一量子点发光层构成所述第二子像素,和/或,在所述第三子像素的放置位置处的在所述基础发光结构远离所述基板的一侧形成第二量子荧光层,所述基础发光结构和所述第二量子点发光层构成所述第三子像素包括:

在所述基板的一侧形成第三薄膜,所述第三薄膜在所述第二子像素的放置位置处设置有第一凹槽,所述第三薄膜在第三子像素的放置位置处设置有第二凹槽,所述第一凹槽与所述第二子像素的放置位置一一对应设置,所述第二凹槽与所述第三子像素的放置位置一一对应设置;

在所述第一凹槽内形成所述第一量子点荧光层;

在所述第二凹槽内形成所述第二量子点荧光层。

10.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一子像素的放置位置形成所述第一子像素,在所述第二子像素的放置位置形成所述第二子像素,在所述第三子像素的放置位置形成所述第三子像素包括:

分别形成第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述第一子像素包括基础发光结构和第一量子点荧光层,所述第二子像素包括基础发光结构和第二量子点荧光层,所述第三子像素包括基础发光结构;

将所述第一子像素放置在所述第一子像素的放置位置,将所述第二子像素放置在所述第二子像素的放置位置,将所述第三子像素放置在所述第三子像素的放置位置。

技术总结

本发明实施例公开了一种显示面板及制备方法,包括:基板;基板的一侧包括像素阵列,像素阵列包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;其中,第一子像素、第二子像素以及第三子像素包括基础发光结构,基础发光结构位于基板的一侧,且基础发光结构发出光的波长小于或等于第一子像素发出光的波长,基础发光结构发出光的波长小于或等于第二子像素发出光的波长,基础发光结构发出光的波长小于或等于第三子像素发出光的波长。本发明实施例提供的技术方案,提高了每个子像素发出的光的波长的稳定性,降低了色差。

技术研发人员:李漫铁;余亮;屠孟龙;谢玲

受保护的技术使用者:深圳雷曼光电科技股份有限公司;惠州雷曼光电科技有限公司

技术研发日:.11.08

技术公布日:.02.28

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